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Selon les chercheurs du MIT, les transistors en silicium int?ɬ�gr?ɬ�s aux puces et m?ɬ�moires arriveront en bout de course dans 10 ans. Ils ?ɬ�tudient une technologie, l'InGaAs, ?ɬ� base de sels d'arsenic, capable de faire circuler 2,5 fois plus de courant sur un transistor.

Les ing?ɬ�nieurs du MIT (Massachusetts Institute of Technology) travaillent sur une technologie de transistors cens?ɬ�e r?ɬ�volutionner ces composants qui se trouvent au coeur des puces et des m?ɬ�moires. Ils ont pr?ɬ�sent?ɬ� leurs travaux ?ɬ� la conf?ɬ�rence IEEE International Electron Devices, le 11 d?ɬ�cembre.

Les chercheurs estiment que les actuels transistors en silicium, essentiels pour de nombreux appareils comme les baladeurs iPod et t?ɬ�l?ɬ�phones mobiles, verront leur taille et niveau de performances stagner d'ici 10 ou 15 ans. Ils s'int?ɬ�ressent donc ?ɬ� de nouveaux mat?ɬ�riaux composites qui devraient augmenter sensiblement la vitesse de conduction du silicium.

L'un d'eux est l'arseniure de gallium et indium (InGaAs), gr?ɬ�ce auquel les ?ɬ�lectrons transitent beaucoup plus vite qu'avec le silicium. Les experts ont d?ɬ�montr?ɬ� r?ɬ�cemment que l'inGaAs permet ?ɬ� un transistor (en 60 nanom?ɬ�tres) de transporter 2,5 fois plus de courant que les transistors dernier cri en silicium.

De quoi donner naissance ?ɬ� de plus petits ?ɬ�quipements capables de traiter des informations plus rapidement. ?Ǭ� Avec son ordinateur portable, son iPod, sa voiture et son t?ɬ�l?ɬ�phone, chacun de nous fait travailler plusieurs milliards de transistors chaque jour ?Ǭ�, explique Jesus del Alamo, professeur d'ing?ɬ�nierie ?ɬ�lectrique et d'informatique, membre des laboratoires MTL (Microsystems Technology Laboratories, du MIT).

Un prototype InGaAs d'ici deux ans

?Ǭ� Nous ?ɬ�tudions de nouveaux mat?ɬ�riaux semi-conducteurs pour les transistors dont les performances continueront d'?ɬ�tre am?ɬ�lior?ɬ�es, alors que les appareils les int?ɬ�grant diminuent en taille ?Ǭ�, ajoute-t-il.

Avec les technologies de transistors, les chercheurs se heurtent toutefois ?ɬ� des contraintes. L'InGaAs se montre ainsi plus fragile que le silicium, ce qui pourrait compliquer la production en masse. Malgr?ɬ� cela, Jesus del Alamo pr?ɬ�voit de d?ɬ�velopper un prototype bas?ɬ� sur l'InGaAs d'ici ?ɬ� deux ans.

Les chercheurs du laboratoire comptent un appui de taille avec Intel, l'un de leurs sponsors. ?Ǭ� Le transistor ... pr?ɬ�sent?ɬ� par l'?ɬ�quipe du professeur del Alamo a donn?ɬ� d'excellents r?ɬ�sultats avec une tension ?ɬ�lectrique faible (0,5 volt) et constitue une ?ɬ�tape importante dans ce type de recherche ?Ǭ�, s'est enthousiasm?ɬ� Robert Chau, directeur de la recherche sur les transistors et nanotechnologies chez Intel.

Source: News.